机译:漏极扩展PMOS晶体管的关态应力的综合分析: 参数退化和介电失效的理论与表征
机译:高压漏极扩展晶体管中的截止状态劣化和相关的栅极电介质击穿:综述
机译:PMOSFET中漏极线性电流扭转效应分析
机译:具有高k电介质堆栈的pMOS和nMOS短沟道晶体管中的沟道热载流子退化
机译:漏极扩展PMOS晶体管断开应力的全面分析:参数降解的理论与表征和介电故障
机译:关于纳米级CMOS VLSI中瞬态和参数故障的检测,分析和表征。
机译:利用IGZO和IGO沟道层的氧化物薄膜晶体管的漏极偏压降解现象的起源。
机译:90nm工艺pmOs晶体管在连续光电激光器刺激下的特性分析及TCaD仿真改进
机译:在开态和关态应力下alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的退化。